Im September 2024 zündete das Labor erfolgreich die in den siliziumbasierten Chip integrierte Laserlichtquelle, was auch die erste erfolgreiche Umsetzung dieser Technologie in China darstellt.
Dieser Erfolg nutzt die vom Jiufengshan Laboratory entwickelte heterogene Integrationstechnologie und vervollständigt die Prozessintegration des Indiumphosphidlasers innerhalb des 8--Zoll-SOI-Wafers nach einem komplexen Prozess.
Diese Technologie ist in der Industrie als „Chip-Out-of-Light“ bekannt. Sie verwendet optische Signale mit besserer Übertragungsleistung, um elektrische Signale für die Übertragung zu ersetzen. Dies ist ein wichtiges Mittel, um die Signaldatenübertragung zwischen Chips zu untergraben Lösen Sie das Problem, dass das aktuelle elektrische Signal zwischen den Chips nahe an der physikalischen Grenze liegt.
Es wird eine revolutionäre Rolle bei der Förderung von Rechenzentren, Rechenzentren, CPU/GPU-Chips, KI-Chips und anderen Bereichen spielen.
Optische On-Chip-Verbindungen, die auf einer siliziumbasierten optoelektronischen Integration basieren, gelten als ideale Lösung, um die Engpässe bei der Entwicklung integrierter Schaltkreistechnologien in der Post-Moore-Ära zu überwinden, wie z. B. Stromverbrauch, Bandbreite und Latenz.
Die derzeit größte Herausforderung für die Entwicklung der vollständig integrierten Silizium-Photonik-Plattform liegt in der Entwicklung und Integration des „Herzens“ von Silizium-Photonik-Chips, also der Lichtquelle auf dem Siliziumsubstrat, die Licht mit hoher Effizienz emittieren kann . Diese Technologie ist einer der wenigen leeren Links im Bereich der Optoelektronik in China.
Das Silizium-Photonik-Prozessteam des Jiufengshan-Labors arbeitete mit Partnern zusammen, um Schlüsselprobleme bei 8--Zoll-Silizium-Photonik-Wafern und heterogen verbundenen epitaktischen III-V-Lasermaterialkörnern zu lösen, und führte anschließend einen CMOS-kompatiblen Device-on-Chip-Herstellungsprozess durch , das die Schwierigkeiten des III-V-Materialstrukturdesigns und -wachstums, der geringen Material-Wafer-Bondausbeute und der heterogenen integrierten Wafer-On-Chip-Strukturierung und Ätzsteuerung erfolgreich löste. Nachdem wir fast zehn Jahre lang aufgeholt und wichtige Probleme gelöst hatten, gelang es uns schließlich, den Laser im Glitzer anzuzünden und das „Chip-Licht“ zu realisieren.
